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碳化硅MOS功率模块应用，驱动，系统方案 碳化硅MOSFET芯片单管+模块+应用“三位一体”模式.docx

碳化硅MOS功率模块应用，驱动，系统方案 碳化硅MOSFET芯片单管+模块+应用“三位一体”模式.docx

    碳化硅MOSFET芯片/单管+模块+应用“三位一体”模式

    TOLTT3PAKQDPAK

    TOLT

    T3PAK

    VDS

    650V

    VDS

    1200V

    VDS

    1200V

    VDS

    VDS

    1500V

    VDS

    1700V

    VDS

    VDS

    2000V

    VDS

    VDS

    3300V

    MEA碳化硅（SiC）功率模块

    1.高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

    2.适用高温、高频应用；

    3.参数范围：VDS：1200VID：1800ARDS(on):0.9mΩ

    ASC

    ASC1800N1200MEA1200V

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