原创力文档1985年10月
MMBTH34表面贴装NPN射频‑中频放大器
一般描述
此设备设计用于共射极低噪声放大器和混频器应用，在100
mA至15mA范围内工作频率可达300MHz，以及高频振荡
器应用中的低频率漂移共基极电路，具有高输出电平，可驱
动FET混频器。
集电极‑基极电压45V极‑基极电压4.0V集电极电流‑连续100mA工作
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