CN119694922A 一种芯片植盖方法及植盖设备 （昆山鸿义精微科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694922A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202311192930.7

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人昆山鸿义精微科技有限公司

地址215000江苏省苏州市昆山市陆家镇

增善路2号

(72)发明人郑治伟王善行彭树超徐威

(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

专利代理师陈婷婷

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

H01L21/50(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种芯片植盖方法及植盖设备

(57)摘要

CN119694922A本发明公开了一种芯片植盖方法及植盖设备，植盖方法包括：芯片上料步骤、保护盖上料步骤、植盖步骤、热压步骤，及下料步骤，该植盖方法还包括拾取所述芯片上标识码的图案的拾码步骤，以及将所述拾码步骤中获取的所述标识码加工在所述保护盖上的打码步骤，通过在将保护盖植放至芯片的植盖过程中，在尚未放植保护盖前先获取芯片上的标识码的图案，再在植放至芯片上的保护盖上加工形成同样的标识码图案，这样，就使得芯片与植放在其上的保护盖上的标识码的图案完全一致，不需要额外建立两者之间的匹配关系，使得两者之间精准对应，在后