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半导体材料与器件制造手册

第1章半导体材料与器件制造手册

1.1半导体晶体生长与提纯技术

晶体生长的核心在于控制原子在基底表面的有序排列，以形成完美的晶格结构。在硅单晶生长中，常用提拉法（CzochralskiMethod），将熔融硅棒浸入石英坩埚中，通过旋转和提拉速度控制晶体生长速率。当温度达到约1414℃时，硅熔化形成过饱和溶液，随后开始结晶。提拉速度对晶体质量至关重要，通常控制在1~5mm/h之间。若速度过快，会导致晶格扭曲和位错密度增加；若速度过慢，则可能引起应力集中导致裂纹。例如，在生长200mm直径的硅棒时，需精确调节转速以维持拉线张力稳定。

籽晶（SeedCrystal）的引入是生长的关键步骤，它作为初始晶核提供完美的晶格模板。籽晶的直径通常为20~30mm，长度需略短于最终产品，以减少热应力。生长过程中需确保籽晶与熔体表面接触良好，避免气隙。熔体中的杂质控制直接影响晶体纯度，必须采用高纯度的电子级硅原料。例如，使用9N或9.9N纯度的多晶硅粉，其杂质含量需低于10^18cm^-3，特别是硼、磷等受主和施主杂质。生长过程中的温度梯度控制是防止气相杂质（如氧、氮）进入熔体的关键手段。通过调节炉内温度场，确保熔体中心温度略高于表面温度，从而抑制气相杂质溶解。

最终晶体需经过严格的切割和抛光处理。切割时需保证垂直度误差小于