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CN119698022A 一种GaN HEMT器件及其制备方法 （上海芯导电子科技股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-12 发布于山西
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CN119698022A 一种GaN HEMT器件及其制备方法 （上海芯导电子科技股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119698022A

    (43)申请公布日2025.03.25

    (21)申请号202311183046.7

    (22)申请日2023.09.13

    (71)申请人上海芯导电子科技股份有限公司

    地址201203上海市浦东新区中国(上海)

    自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号

    (72)发明人孙国臻陈敏欧新华袁琼

    (74)专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)31343

    专利代理师周冬文

    (51)Int.Cl.

    H10D30/47(2025.01)

    H10D30/01(

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