模拟电子技术课件第1.12讲 晶体管的主要参数 （2019.12.4） .pptxVIP

第1.12讲晶体管的主要参数

第1章常用半导体器件

主讲人：赵洪亮博士、教授

山东科技大学首批在线课程建设项目《模拟电子技术基础》

电工电子国家级实验教学示范中心（山东科技大学）

参考资料：童诗白、华成英.模拟电子技术基础（第五版），p28~30，第1.3.4节

一、引言

二、直流参数

三、交流参数

四、极限参数

五、总结

主要内容

第1章常用半导体器件

第1.12讲晶体管的主要参数

一、引言

第1章常用半导体器件

要完整地描述晶体管的特性，需要很多参数。

第1.12讲晶体管的主要参数

在Multisim中，晶体管2SC1815的模型含有65个参数：

本讲只介绍理论分析中用到的最主要的一些参数。

第1章常用半导体器件

二、直流参数

第1.12讲晶体管的主要参数

共射直流电流放大系数：

共基直流电流放大系数：

发射极开路时，集电结的反向饱和电流：ICBO

基极开路时，集电结和发射结的穿透电流：ICEO

第1章常用半导体器件

三、交流参数

第1.12讲晶体管的主要参数

共射交流电流放大系数：β

共基交流电流放大系数：α

特征频率：fT

低频时，

使β＝1的信号频率。

集电结（输出）电容：Cob

第1章常用半导体器件

第1.12讲晶体管的主要参数

四、极限参数

最大集电极电流：ICM

最大集电极耗散功率：PCM

基极开