CN119403171A 一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 （苏州华太电子技术股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403171A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411919943.4

(22)申请日2024.12.25

(71)申请人苏州华太电子技术股份有限公司

地址215000江苏省苏州市苏州工业园区

星湖街328号创意产业园10栋1层

(72)发明人张晓宇岳丹诚李星齐

(74)专利代理机构北京科慧致远知识产权代理

有限公司11739

专利代理师宋珊珊

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/85(2025.01)