CN119890133A 沟槽及其制作方法 （杭州富芯半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119890133A

(43)申请公布日2025.04.25

(21)申请号202411886559.9

(22)申请日2024.12.19

(71)申请人杭州富芯半导体有限公司

地址311418浙江省杭州市富阳区灵桥镇

滨富大道135号（滨富合作区）

(72)发明人牛勇军

(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限

公司31295

专利代理师竹励萍

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H10D89/60(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名