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芯片设计试题及解析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

摩尔定律指出，集成电路上可容纳的晶体管数目每隔约多久会增加一倍，同时性能也会相应提升？

A.6到12个月

B.18到24个月

C.30到36个月

D.48到60个月

答案：B

解析：摩尔定律是集成电路产业的核心经验规律，由戈登·摩尔提出，其核心表述为集成电路上可容纳的晶体管数目每隔约18到24个月便会增加一倍，性能同步提升。选项A的时间过短，不符合晶体管制造工艺的迭代周期；选项C、D是早期对摩尔定律的误读或后续调整后的延伸认知，并非其原设定的核心时间范围，因此正确答案为B。

以下属于芯片前端设计核心环节的是？

A.物理布局

B.寄存器传输级（RTL）编码

C.时钟树综合

D.布线与互联

答案：B

解析：芯片设计分为前端和后端两大阶段，前端聚焦功能逻辑实现，后端聚焦物理实体实现。选项A、C、D均属于后端设计的核心工作，物理布局是将网表映射到晶圆物理空间，时钟树综合是优化时钟信号的路径一致性，布线与互联是连接各物理模块；而RTL编码是用硬件描述语言描述芯片功能逻辑，属于前端设计，因此正确答案为B。

以下哪种晶体管结构是当前7纳米及以下先进制程芯片的主流选择？

A.平面型晶体管

B.FinFET（鳍式场效应管）

C.双极型晶体管

D.结型场效应管

答案：B

解析：平面型晶体管在制程缩小到一定程度后