2026年模拟电子技术：二极管与三极管核心培训.pptxVIP

2026年模拟电子技术：二极管与三极管核心培训

目录

02

二极管核心技术

01

半导体器件基础

03

三极管深度解析

04

典型应用电路分析

05

器件测量与检测

06

前沿技术与发展

半导体器件基础

01

半导体物理特性概述

光电响应特性

半导体在光照或射线作用下发生本征激发，产生电子-空穴对，此特性被广泛应用于光电二极管、太阳能电池等器件中。

掺杂可控性

通过掺入微量五价（如磷）或三价（如硼）元素可分别形成N型（多子为电子）和P型（多子为空穴）半导体，杂质浓度直接决定多数载流子密度，少子浓度则受温度影响。

温度敏感性

半导体电导率随温度升高显著增加，因热激发产生更多电子-空穴对，其导电性