CN119620559A 一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法 (杭州富芯半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-14 发布于重庆
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CN119620559A 一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法 (杭州富芯半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119620559A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411932614.3

(22)申请日2024.12.25

(71)申请人杭州富芯半导体有限公司

地址311418浙江省杭州市富阳区灵桥镇

滨富大道135号(滨富合作区)

(72)发明人苌现朱画张帆

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师方秀琴

(51)Int.Cl.

G03F7/20(2006.01)

G03F1/36(2012.01)

权利要求书2页说明书11页附图2页

(54)

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