CN119724311A 存储器修复电路和存储器的修复方法 （浙江驰拓科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119724311A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202311273258.4

(22)申请日2023.09.27

(71)申请人浙江驰拓科技有限公司

地址311300浙江省杭州市临安区青山湖

街道崇文路1718号

(72)发明人沈岙周亚星何世坤

(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理

有限公司11667

专利代理师陈晓瑜

(51)Int.Cl.

G11C29/44(2006.01)

G11C16/34(2006.01)

G11C16/26(2006.01)

权利要求书4页说明书13页附图5页

(54)发明名称

存储器修复电路和存储器的修复方法

(57)摘要

CN119724311A本发明提供一种存储器修复电路和存储器的修复方法，存储器修复电路包括：一级标记模块用于判断位元是否处于击穿状态，并对处于击穿状态下的位元进行一级标记；翻转判断模块用于判断位元组内是否存在翻转位元，其中，位元组包括同位线上的多个位元，翻转位元为待写入数据为1且经过一级标记的位元；二级标记模块，用于提供翻转标志位，翻转标志位与位元组一一对应，翻转标志位用于对存在翻转位元的位元组进行二级标记；读数据模块用于输出对从经过二级标记的翻转位元中读出的数据