CN119362143A 半导体发光结构及其制备方法和测试方法 (苏州长光华芯光电技术股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-16 发布于重庆
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CN119362143A 半导体发光结构及其制备方法和测试方法 (苏州长光华芯光电技术股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119362143A

(43)申请公布日2025.01.24

(21)申请号202411886875.6(51)Int.Cl.

H01S5/042(2006.01)

(22)申请日2024.12.20

G01R31/26(2020.01)

(71)申请人苏州长光华芯光电技术股份有限公

地址215163江苏省苏州市高新区漓江路

56号

申请人苏州长光华芯半导体激光创新研究

院有限公司

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