CN119726366A 衍射型面发射半导体激光器及其制备方法 （苏州实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119726366A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510232903.0

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人苏州实验室

地址215000江苏省苏州市工业园区若水

路388号

(72)发明人郁骁琦熊康林郑煜臻王军飞杨辉

(74)专利代理机构苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙)32525

专利代理师姚忠琦

(51)Int.Cl.

H01S5/06(2006.01)

H01S5/026(2006.01)

H01S5/18(2021.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

衍射型面发射半导体激光器及其制备方法

(57)摘要

CN119726366A本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器及其制备方法。衍射型面发射半导体激光器包括有源层以及位于上包层、上波导层、下波导层、下包层中的一层或多层中的互补型光学调制层，互补型光学调制层包括上光学调制层和下光学调制层；下光学调制层具有折射率不同的第一光学调制材料和第二光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；上光学调制层具有折射率不同的第三光学调制材料和第四光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；在垂直于激光出射面的方向上，