CN119725502A 一种硅负极材料及其制备方法和应用 （万向一二三股份公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119725502A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510123444.2

(22)申请日2025.01.26

(71)申请人万向一二三股份公司

地址310000浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设二路855号

(72)发明人叶克份张小祝陈伟朱丹凤苏敏

(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限

公司33289

专利代理师金方玮

(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/60(2006.01)

H01M4/62(2006.01)

H01M4/58(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种硅负极材料及其制备方法和应用

(57)摘要

CN119725502A本发明公开了一种硅负极材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。硅负极材料包括硅材料基体以及包覆在所述硅材料基体表面的包覆层；所述包覆层包括环化聚丙烯腈和快离子导体。本发明提供的硅负极材料，在硅材料基体表面构建均匀的环化聚丙烯腈和快离子导体包覆层。环化聚丙烯腈良好电子电导率、弹性以及快离子导体优异的离子电导