CN119725340A 电磁干扰屏蔽封装结构及其制造方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119725340A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202411933303.9

(22)申请日2021.06.08

(62)分案原申请数据

202180001890.62021.06.08

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人陈鹏周厚德

(74)专利代理机构北京永新同创知识产权代理

有限公司11376

专利代理师刘景峰林锦辉

(51)Int.Cl.

H01L25/16(2023.01)

H01L23/552(2006.01)

H01L23/31(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图8页

(54)发明名称

电磁干扰屏蔽封装结构及其制造方法

(57)摘要

CN119725340A本公开内容涉及电磁干扰屏蔽封装结构及其制造方法。本公开内容提供了一种半导体结构，包括：附着在衬底上的管芯/管芯堆叠体、覆盖管芯/管芯堆叠体的顶表面的导电顶部块、以及将导电顶部块导电地连接到衬底的多条接地线。导电顶部块、多条接地线和衬底形成法拉第笼，以提供管芯/

CN119725340A

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