CN119725284A 半导体器件及其制造方法 （湖北星辰技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119725284A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510238827.4

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人湖北星辰技术有限公司

地址430223湖北省武汉市东湖新技术开

发区流芳园横路12号汇成工业科创园2号楼11F（自贸区武汉片区）

(72)发明人任小宁吴洁夏凯睿谢冬

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师胡亮吴素花

(51)Int.Cl.

H01L23/488(2006.01)

H01L21/54(2006.01)

H01L23/24(2006.01)

H01L21/603(2006.01)

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C3/00(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN119725284A本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结