CN119725328A 一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法 （青岛海存微电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119725328A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510237494.3

(22)申请日2025.03.03

(71)申请人青岛海存微电子有限公司

地址266404山东省青岛市黄岛区映山红

路117号1栋1605室（原黄岛区科教二

路117号1栋研发中心办公室）

(72)发明人任冠青袁东林李南军王林霞张超刘宏喜王戈飞

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书13页附图8页

(54)发明名称

一种半导体量测结构及半导体研磨量的量

测方法

(57)摘要

CN119725328A本申请涉及半导体技术领域，公开一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法。半导体量测结构设置在晶圆上，半导体量测结构至少包括沟槽区域及研磨区域；其中，研磨区域的顶表面高于沟槽区域的顶表面，且研磨区域的侧壁与沟槽区域的顶表面合围形成量测沟槽；通过量测化学机械抛光工艺处理前后研磨区域与沟槽区域顶表面之间的台阶差，确定研磨区域的研磨量。本申请能够避免产生光学干扰，从而避免影响化学机械抛光工艺研磨量的量测值，减小实际

CN119