CN119725265A 一种基于金刚石陶瓷层的绝缘基板及其制备方法 （山东大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119725265A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510245280.0

(22)申请日2025.03.04

(71)申请人山东大学

地址250000山东省济南市历下区经十路

17923号

(72)发明人崔潆心郭延奥韩吉胜徐现刚

(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223

专利代理师梁静

(51)Int.Cl.

H01L23/373(2006.01)

H01L23/498(2006.01)

H01L21/48(2006.01)

权利要求书1页说明书11页附图4页

(54)发明名称

一种基于金刚石陶瓷层的绝缘基板及其制

备方法

(57)摘要

CN119725265A本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于金刚石陶瓷层的绝缘基板及其制备方法。所述金刚石陶瓷层的绝缘基板沿厚度方向从上至下依次设有上铜层、金刚石陶瓷层和下铜层，金刚石陶瓷层的厚度为300μm～630μm，上铜层和下铜层的厚度均为250μm～300μm。本发明基于金刚石陶瓷材料形成的绝缘基板，以降低功率器件到封装绝缘基板的热阻，提高封装绝缘基板的散热效率，从而提高碳化硅功率模块的散热效率；通过金刚石陶瓷层提供电气绝