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60V 50A 22mΩN沟道增强型功率MOSFET技术与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-18 发布于北京
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60V 50A 22mΩN沟道增强型功率MOSFET技术与应用.pdf

    2013年3月

    FQB50N06/FQI50N06

    N沟道QFETMOSFET

    60V，50A，22m

    描述

    这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild特性

    Semiconductor®的专有平面条纹和DMOS技术制造。这种•50A，60V，RDS(导通)=22m(最大)@VGS=10

    先进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻进行了优化，并

    V，ID=25A

    了卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于

    栅

    •低极电荷（典型值31nC）

    开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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