CN119736607A 室装置、半导体处理系统及相关材料层沉积方法 （Asm Ip私人控股有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119736607A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411347581.6

(22)申请日2024.09.26

(30)优先权数据

63/586,7712023.09.29US

(71)申请人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

(72)发明人A·卡杰巴夫瓦拉A·穆拉利C·米斯金F·阿利耶蒂

A·德莫斯

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王冉

(51)Int.Cl.

C23C16/44(2006.01)

C23C16/458(2006.01)

C23C16/52(2006.01)

C23C16/46(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书3页说明书16页附图8页

(54)发明名称

室装置、半导体处理系统及相关材料层沉积

方法

(57)摘要

CN119736607A一种用于半导体处理系统的室装置，包括室主体、衬底支撑件、第一室高温计和第二室高温计。室主体具有外表面、中空内部，并且衬底支撑件被支撑以在室主体的内部内旋转。第一室高温计和第二室高温计光学耦合到室主体的外表面。第一室高温计配置成获取室主体的外表面上的第一位置处的第一温度测量，第二室高温