CN119736714A 含有掺入元素的磷化铟晶体、单晶片及其制备方法、器件 （北京通美晶体技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119736714A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202311238715.6

(22)申请日2023.09.22

(71)申请人北京通美晶体技术股份有限公司

地址101113北京市通州区工业开发区东

二街4号

申请人朝阳通美晶体科技有限公司

(72)发明人肖亚东张舒惠石宁

(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258

专利代理师肖善强

(51)Int.Cl.

C30B29/40(2006.01)

C30B1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书16页附图1页

(54)发明名称

含有掺入元素的磷化铟晶体、单晶片及其制

备方法、器件

(57)摘要

CN119736714A本发明涉及含有掺入元素的磷化铟晶体、单晶片及其制备方法。具体地，本发明涉及一种含有掺入元素的磷化铟晶体，所述掺入元素在磷化铟晶体生长熔体中或磷化铟多晶料合成中掺入，其中所述磷化铟晶体为S掺杂或Sn掺杂的N一型磷化铟单晶或Zn掺杂的P一型磷化铟单晶；并且其中所述掺入元素为一种元素或多种元素，其在磷化铟中的分凝系数不大于0.05；所述掺入元素在所述磷化铟晶体中的含量为30ppb到30ppm。本发明还涉及制备含有掺入元素的磷化铟晶体的方法