CN119738686A 基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统 （深圳市美浦森半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119738686A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510252363.2

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人深圳市美浦森半导体有限公司

地址518102广东省深圳市宝安区西乡街

道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处

中央大道D座16A

(72)发明人何昌张光亚李俊峰

(74)专利代理机构北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11919

专利代理师管士涛

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

G06F17/10(2006.01)

权利要求书5页说明书18页附图2页

(54)发明名称

基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试

方法及系统

(57)摘要

CN119738686A本发明涉及二极管性能测试技术领域，一种基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统，包括：设置偏置条件区间，获取快速恢复二极管集，获取多个实验组，依次从多个实验组中提取实验组，并对所提取的实验组执行如下操作：初始化测试电路，得到初始化电路，对初始化电路中的快速恢复二极管进行辐照并对初始化电路进行辐照监测，得到温度数据、电压数据及漏电流数据，预测快速恢复二极管的使用寿命，获取漏电流增加比例及漏电流曲线