磁隧道结自旋输运与ER流体内电相互作用的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,电子器件的性能提升和小型化需求愈发迫切,自旋电子学应运而生并成为研究热点。磁隧道结(MagneticTunnelJunction,MTJ)作为自旋电子学的核心器件之一,在磁记录、磁性存储和自旋电子学等众多领域展现出广阔的应用前景。它主要由两个磁性电极以及夹在中间的一层非磁性隧道层构成,这种结构赋予了磁隧道结高效的自旋极化和出色的磁电转换性能。当电流通过磁隧道结时,基于量子力学的隧穿效应,电子能够穿越非磁性隧道层。由于自旋向上和自旋向下的电子具有不同的能级,在这个过程中会发生自旋极
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