CN119740412A 抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质 （湖南融创微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119740412A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510262432.8

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人湖南融创微电子股份有限公司

地址410205湖南省长沙市长沙高新开发

区尖山路18号中电软件园二期第A5栋

1层101号

(72)发明人房盼攀刘祥远孙自强

(74)专利代理机构长沙国科天河知识产权代理

有限公司43225

专利代理师周达

(51)Int.Cl.

G06F30/20(2020.01)

权利要求书3页说明书8页附图3页

(54)发明名称

抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和

存储介质

(57)摘要

CN119740412A为解决现有技术中抗辐照芯片设计面积消耗大、周期长、成本高以及抗辐照性能不高的问题，本发明提出抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：找到TapCell和标准单元之间最大距离；通过建立含有TapCell的器件级SEL仿真模型，找到抗SEL的TapCell插入距离；通过建立单元级SET仿真模型，找到同时抗SEL和抗SET的TapCell插入间距，作为依据在版图中进行TapCell和标准单元的重新布局，完成芯片版图设计。该设计方法利用TapCel