氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长机制、特性及应用探索.docx

氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长机制、特性及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与技术领域，氧化物半导体和磁性氧化物因其独特的物理性质和广泛的应用前景，占据着极为重要的地位。氧化物半导体作为一类由金属与氧形成的化合物半导体材料，与传统元素半导体相比，在结构、电学、光学等方面展现出诸多独特优势。例如，氧化锌（ZnO）是一种典型的氧化物半导体，拥有高达3.37eV的室温禁带宽度以及较大的激子束缚能（60meV）。这一特性使得ZnO在室温下能实现高效的激子复合发光，在短波长光电器件领域，如紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器等，展现出巨大的应用潜力。此外