CN119742254A 一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法 （深圳市美浦森半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742254A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510251766.5

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人深圳市美浦森半导体有限公司

地址518102广东省深圳市宝安区西乡街

道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处

中央大道D座16A

(72)发明人何昌张光亚李俊峰

(74)专利代理机构北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11919

专利代理师管士涛

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

权利要求书5页说明书19页附图2页

(54)发明名称

一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优

化方法

(57)摘要

CN119742254A本发明涉及半导体器件制造技术领域，一种用于金氧半场效晶体管的键合参数优化方法，包括：获取键合金属线集及材料分析机构，利用材料分析机构对键合金属线集执行性能分析操作，得到键合难度及键合稳定性，基于参考压力范围、参考超声范围及参考时间范围确认键合参数组集，基于键合参数组、键合金属线集及键合机对预构建的初始晶体管执行键合操作，利用温度测试仪及半导体测试仪对MOS管进行键合稳定测试，得到键合成功度，将最大键合成功