CN119743981A 一种具备高温可靠性的SiCVDMOSFET结构及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743981A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510254586.2

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代理有限公司44795

专利代理师孙平

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种具备高温可靠性的SiCVDMOSFET结构及

其制备方法

(57)摘要

CN119743981A本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具备高温可靠性的SiCVDMOSFET结构，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层的内部设有N衬底层、N漂移层、P阱层一、重掺杂P层以及N阱层，所述N阱层的一侧且靠近栅极位置处设有P阱层二和重掺杂N层一，所述P阱层二位于N阱层与重掺杂N层一之间；所述栅极的截面轮廓呈‘T’字形状，所述重掺杂N层一还包括有重