CN119743976A 一种ldmos器件及其制备方法 （圣邦微电子（北京）股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743976A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411239718.6

(22)申请日2024.09.04

(71)申请人圣邦微电子（北京）股份有限公司

地址100089北京市海淀区西三环北路87

号11层4-1106

(72)发明人刘聪慧陈忠浩卢彦彬

(74)专利代理机构北京慧加伦知识产权代理有限公司16035

专利代理师申婕

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/20(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

权利要求书2页说明书11页附图8页

(54)发明名称

一种LDMOS器件及其制备方法

(57)摘要

CN119743976A本公开的实施例提供一种LDMOS器件及其制备方法。该LDMOS器件包括漂移区、体区、漏区、源区、栅极结构和单个接触场板，体区和漂移区的掺杂类型相反，漏区位于漂移区内且远离体区的一侧，栅极结构覆盖部分漂移区和部分体区且与漏区隔离，栅极结构包括栅极和覆盖栅极侧面的侧墙，单个接触场板位于漏区与侧墙靠近漏区的一侧表面之间的部分区域，单个接触场板在漂移区表面的投影与侧墙在漂移区表面的投影不重叠，单个接触