CN119743973A 半导体装置及其制造方法 （鸿扬半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743973A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202311345498.0

(22)申请日2023.10.17

(30)优先权数据

1121371272023.09.27TW

(71)申请人鸿扬半导体股份有限公司

地址中国台湾新竹市东区研新三路3号

(72)发明人吴建毅

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师康艳青张铮铮

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D62/40(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图7页

(54)发明名称

半导体装置及其制造方法

(57)摘要

CN119743973A半导体装置包含基板、磊晶层与晶体管结构。基板为六方晶体结构且具有垂直于C轴的顶面，基板的顶面包括平行C轴的晶格面，其中晶格面为使用经显影的光阻蚀刻而得，且经显影的光阻的顶面与基板之间具有在30度到60度范围中的倾斜角。磊晶层形成于晶格面上。晶体管结构形成于磊晶层中、磊晶层上及基板相对于磊晶层的表面上。由于通过光阻显影与干蚀刻法，蚀刻出了平行C轴