CN119743977A 半导体装置及其制作方法 （艾科微电子(深圳)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743977A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202311254420.8

(22)申请日2023.09.26

(71)申请人艾科微电子（深圳）有限公司

地址518000广东省深圳市龙华区民治街

道北站社区鸿荣源北站中心B塔二七

O一号

(72)发明人陈劲甫

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师曹廷廷

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D64/00(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书3页说明书9页附图10页

(54)发明名称

半导体装置及其制作方法

(57)摘要

CN119743977A本发明公开了一种半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括外延层、第一沟槽、第一场板、第一沟槽栅极、第一平面栅极、和第一导电连接部。外延层具有第一导电类型。第一沟槽设置在外延层内且沿着一第一方向延伸。第一场板设置在第一沟槽内且沿着第一方向延伸。第一沟槽栅极设置在第一沟槽内且沿着第一方向延伸，其中第一沟槽栅极侧向分离于第一场板，第一场板的顶面高于第一沟槽栅极的顶面。第一平面栅极设置在第一场板及第一沟槽栅极之上，且沿着一第二方向延伸。第一导电连接