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光电子技术与产业发展手册

第一章光电子器件基础理论

第一节半导体物理与能带理论

1.1价带、导带与禁带宽度

半导体材料的电子结构由价带和导带组成，两者之间隔着能量最低的禁带区域。本小节首先定义价带（ValenceBand）和导带（ConductionBand）的物理含义，并详细介绍能隙（BandGap,$E_g$）对材料分类的决定性作用。对于硅（Si）而言，其禁带宽度约为1.12eV，这一数值直接决定了其作为晶体硅器件的基础性能参数。

价带是半导体的最高完全填充电子能级，在绝对零度时价带中所有电子均处于基态，无法参与导电。导带是半导体的最低空态能级，在绝对零度时导带为空，电子密度为零，无法参与导电。

禁带宽度$E_g$定义为导带底与价带顶之间的能量差，它是区分导体（$E_g\approx0$）和绝缘体（$E_g\gg1.5$eV）的关键标度。当温度升高或光照激发时，价带电子吸收能量跃迁至导带，形成自由载流子，从而产生电导率。半导体电阻率$\rho$与载流子浓度$n$及迁移率$\mu$的关系遵循公式$\rho=1/(nq\mu)$，其中$q$为电子电荷量。

能带理论成功解释了为什么硅在室温下是半导体，而锗（Ge）因禁带更窄（0.67eV）在室温下电阻率较高，需更低温度才能显著导电。

1.2本征激发与载流子统