CN119744434A 半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 （株式会社希克斯）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744434A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202380061285.7

(22)申请日2023.08.10

(30)优先权数据

2022-1357722022.08.29JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.21

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0292472023.08.10

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/048239JA2024.03.07

(71)申请人株式会社希克斯地址日本

(72)发明人内田英次