CN119742224A 在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742224A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510262515.7

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人张伟卢涛周纪苏圣哲罗钦贤

(74)专利代理机构北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙)11804

专利代理师顾皓辉

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H01L23/31(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图5页

(54)发明名称

在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方

法及半导体器件

(57)摘要

CN119742224A本申请公开了在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件，方法包括：提供至少具有第一栅极和第二栅极的半导体结构；在半导体结构的表面形成第一应力介质层；蚀刻第一应力介质层；在半导体结构的表面形成第二应力介质层；第一应力介质层为按如下形成的压应力介质层：第一沉积处理，在半导体结构的表面沉积具有第一沉积厚度的第一介质层；对第一介质层的整个膜层进行第一