CN119742252A 一种半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742252A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510245660.4

(22)申请日2025.03.04

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人宋文刚

(74)专利代理机构上海汉之律师事务所31378

专利代理师吴向青

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置

(57)摘要

CN119742252A本发明公开了一种半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置，属于半导体技术领域，所述半导体薄膜的蚀刻方法包括以下步骤：采集多个被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与磁体的位置数据；获取所述被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与所述磁体的位置数据的关系；以及当半导体薄膜被蚀刻时，监测被蚀刻区域的所述半导体薄膜的厚度均匀性数据，当被蚀刻区域的所述半导体薄膜的厚度均匀性数据超出阈值时，依据所述被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与所述磁体的位置数据的关系，调整所述磁体的位置。通过本发明公开的半导体薄膜的蚀刻方法及

CN11974