GB-T 45720-2025-半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准研究报告.docx

半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准化发展报告

标题：GB/T45720-2025《半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReportforGB/T45720-2025“Semiconductordevices—Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms”

摘要

随着半导体器件特征尺寸不断缩小至纳米级，栅介质层的可靠性问题日益凸显，时间相关介电击穿（TDDB）已成为制约器件寿命的关键失效机制。为规范我国半导体行业栅介质层TDDB试验方法，提升产品可靠性评估水平，国家市场监督管理总局和国家标准化管理委员会于2025年联合发布了GB/T45720-2025《半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》推荐性国家标准。本报告系统梳理了该标准的制定背景、技术内容、主要起草单位及归口管理机构，深入分析了标准的核心技术指标、试验流程和评价方法。研究表明，该标准全面采纳了国际先进技术成果，结合我国半导体产业实际需求，建立了统一的TDDB试验规范，对于指导集成电路制造企业开展栅介质层可靠性评估、推动我国半导体器件质量提升具有重要