CN119758673A 光刻掩模多目标鲁棒优化方法、系统、计算机设备和介质 （广州市香港科大霍英东研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119758673A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411713006.3

(22)申请日2024.11.26

(71)申请人广州市香港科大霍英东研究院

地址511458广东省广州市南沙区南沙资

讯科技园科技楼

申请人香港科技大学（广州）

(72)发明人罗杨马宇哲

(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205

专利代理师谭晓欣

(51)Int.Cl.

G03F7/20(2006.01)

权利要求书2页说明书13页附图4页

(54)发明名称

光刻掩模多目标鲁棒优化方法、系统、计算

机设备和介质

(57)摘要

CN119758673A本申请实施例涉及光刻技术领域，提供了一种光刻掩模多目标鲁棒优化方法、系统、计算机设备和介质，其中方法包括：基于光刻仿真模型确定初始掩模版在N种工艺参数下分别获得的晶圆图案，N为大于1的整数；基于各种所述工艺参数获得的所述晶圆图案和目标图案之间的偏差，构建N个损失函数，每个所述损失函数对应一种所述工艺参数；对所述初始掩模版进行多轮迭代优化，直至所有的所述损失函数均收敛且达到均衡，得到优化后掩模版。根据本申请实施例方案所获得的优化后掩模版对不同的工艺参数均具

CN119758673A

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