GB-T 45718-2025-半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准研究报告.docx

半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准化发展报告

标题：GB/T45718-2025《半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReportforGB/T45718-2025“Semiconductordevices—Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers”

摘要

随着半导体器件集成度不断提高和特征尺寸持续微缩，内部金属层间介电层的可靠性问题日益凸显。时间相关介电击穿（TDDB）作为评估介电层长期可靠性的关键试验方法，对于保障半导体器件在复杂应用环境下的稳定运行具有重要意义。本报告围绕GB/T45718-2025《半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》的制定背景、技术内容、标准体系定位及实施意义展开系统分析。该标准等同采用IEC60749-1:2020，由全国半导体器件标准化技术委员会（TC78）归口管理，工业和信息化部（电子）主管，于2025年正式发布并实施。报告详细阐述了标准的技术框架，包括试验原理、样品制备、应力条件、失效判据及数据处理方法，并深入介绍了主要起草单位在标准研制过程中的技术贡献。研