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100V 33A 52mΩN沟道增强型MOSFET特性与应用.pdf

100V 33A 52mΩN沟道增强型MOSFET特性与应用.pdf

    2013年3月

    FQB33N10L/FQI33N10LN沟

    道QFETMOSFET

    100V，33A，52m

    描述此N沟道增强型功

    率MOSFET是

    采用FairchildSemiconductor®的专有平面条纹和特性

    DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别优化以降•33A，100V，RDS(导通)=52m(最大)@VGS

    低导通电阻，

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