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SiC单晶生长设备加热系统的创新设计与仿真研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着半导体技术的飞速发展，传统的第一代半导体材料硅（Si）和第二代半导体材料砷化镓（GaAs）在面对高温、高频、高功率等应用场景时，逐渐暴露出其性能上的不足与局限。在这样的背景下，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等为代表的第三代半导体材料应运而生，其中SiC材料凭借其独特的性能优势，成为了半导体领域的研究热点与发展重点。

SiC材料具有大禁带宽度，这使得基于SiC的器件能够在更高的温度下稳定工作，有效拓展了半导体器件的工作温度范围；其高临界击穿场强的特性，让SiC器件可以承受更高的电压，