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附录：赛题的相关知识介绍

1、反相器：是集成电路设计中基本的逻辑单元，常称为反相器，其电路结

构和元件符号如图1所示，由一个PMOS管（P型金属氧化物半导体）和一个

NMOS管（N型金属氧化物半导体）串联而成，G、S、D、B分别代表晶体管的

栅极、源极、漏极和衬底。反相器可以实现逻辑非的功能，即输出始终和输入保

持相反。当输入端为高电平（逻辑“1”）时，输出端为低电平（逻辑“0”）。NMOS

在输入为高电平时，将输出端拉低，由高电平到低电平时的时间即下降沿延迟。

反之，当输入端为低电平（逻辑“0”）时，输出端则为高电平（逻辑“1”）。PMOS

管在输入为低电平时，将输出端电压拉高，此时，由低电平到高电平的转换时间

即为反相器的上升沿延迟。详见附录2中的参考文献1、参考文献2。现提供的

晶体管最小栅长L60nm，最小栅宽W120nm，最大栅长和最大栅宽均为100um。

PMOS阈值电压为0.398V，NMOS的阈值电压为0.42V。NMOS管和PMOS管

的K值分别为111.6634μA/V和68.7134μA/V。

图1反相器的电路结构和元件符号

2、环形振荡器由三个反相器或更多奇数个反相器输出端