GB-T 45721.1-2025-半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验标准研究报告.docx

半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验标准化发展报告

英文标题

StandardizationDevelopmentReportforSemiconductorDevices—StressMigrationTest—Part1:CopperStressMigrationTest(GB/T45721.1-2025)

摘要

随着半导体器件集成度不断提高和特征尺寸持续缩小，铜互连中的应力迁移效应已成为影响器件可靠性的关键因素。为规范铜应力迁移试验方法，提升我国半导体器件可靠性测试水平，国家市场监督管理总局和国家标准化管理委员会于2025年发布了GB/T45721.1-2025《半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验》国家标准。本报告系统梳理了该标准的制定背景、技术内容、主要起草单位及归口管理机构，深入分析了标准的技术要点和行业应用价值。报告指出，该标准首次系统规定了铜应力迁移试验的试验条件、样品制备、失效判据和数据处理方法，填补了我国在该领域的标准空白，对推动半导体器件可靠性评估的规范化和国际化具有重要意义。未来，随着先进制程技术的发展，该标准将不断修订完善，为集成电路产业高质量发展提供坚实的技术支撑。

关键词：半导体器件；应力迁移；铜互连；可靠性试验；国家标准；失效分析；标准化

Keywords:Semiconductordev