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CN119306579A 一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法 （南开大学）.pdfVIP

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  • 2026-06-21 发布于重庆
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CN119306579A 一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法 （南开大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119306579A

    (43)申请公布日2025.01.14

    (21)申请号202411845810.7C07D213/26(2006.01)

    H10N70/00(2023.01)

    (22)申请日2024.12.16

    H10N70/20(2023.01)

    (71)申请人南开大学

    地址300071天津市南开区卫津路94号

    (72)发明人陈颖贺苏杭常新月贾传成

    郭雪峰

    (74)专利代理机构天津展誉专利代理有限公司

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