海思模拟IC笔试真题（含详细解析）.docxVIP

海思模拟IC笔试真题（含详细解析）

适用：海思模拟IC设计、射频模拟、电源模拟、混合信号IC校招/实习笔试

题型：选择、判断、简答、电路分析、计算

特点：贴合海思真实考点，重器件原理、运放电路、反馈、噪声、版图匹配、开关电容、PLL基础，解析工程化、无空洞理论堆砌

一、单项选择题（共10题，每题4分，共40分）

1.关于MOS管工作区域，以下说法正确的是（）

A.饱和区满足VdsVgs-Vth，且沟道完全夹断

B.线性区仅适用于VgsVth的情况

C.饱和区输出阻抗最低，适合做电流源

D.Vds增大时，饱和区MOS管电流完全不变

答案：A

解析：

B错误，线性区条件是VgsVth、VdsVgs-Vth；VgsVth为截止区。

C错误，饱和区输出阻抗高，才适合做恒流源，线性区阻抗最低。

D错误，实际MOS存在沟道长度调制效应，Vds增大，饱和区电流会小幅上升。

A正确，饱和区核心条件Vds≥Vgs-Vth，沟道漏端夹断。

2.以下反馈类型中，能同时稳定输出电压、降低输出阻抗的是（）

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

答案：A

解析：

电压反馈：采样输出电压，稳定输出电压、降低输出阻抗；

电流反馈：采样输出电流，稳定输出电流、提高输出阻抗；

串联反馈：提高输入阻抗；并联反馈：降低输入阻抗。

电压串联负反馈是运放放大器最