CN119763988A 电感结构及其制作方法、设备、介质 (深圳市沃芯半导体技术有限公司).docxVIP

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  • 2026-06-22 发布于山西
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CN119763988A 电感结构及其制作方法、设备、介质 (深圳市沃芯半导体技术有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119763988A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510265406.0

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人深圳市沃芯半导体技术有限公司

地址518000广东省深圳市南山区桃源街

道平山社区留仙大道4168号众冠时代广场A座41层4102

(72)发明人戴维菁敖思鸿邱亮明林升标

(74)专利代理机构广东君龙律师事务所44470专利代理师陈琴

(51)Int.Cl.

H01F27/02(2006.01)

H01F27/22(2006.01)

H01F27/255(2006.01)

H01F27/30(2006.01)

H01F27/29(2006.01)

H01F41/02(2006.01)

H01F41/06(2016.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

电感结构及其制作方法、设备、介质

(57)摘要

CN119763988A本申请公开了一种电感结构及其制作方法、设备、介质,电感结构包括:电感绕组、磁体和金属框架,其中,磁体包裹电感绕组,以形成长方体电感主体,金属框架覆盖于长方体电感主体顶部和/或底部,并与延长弯折至长方体电感主体顶部和/或底部的电感绕组端子连

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