CN119764154A 一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法 （上海邦芯半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764154A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510269302.7

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司

地址201413上海市奉贤区中国（上海）自

由贸易试验区临港新片区平霄路358

号7号厂房、9号厂房

(72)发明人李可王兆祥梁洁涂乐义向浪王亮颜羽

(74)专利代理机构上海申君律师事务所31594

专利代理师余中燕

(51)Int.Cl.

H01J37/32(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法

(57)摘要

CN119764154A本发明提供一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法，应用于等离子体刻蚀技术领域，所述刻蚀设备包括反应腔，所述反应腔的顶部和底部平行设置有一对上电极和下电极，所述上电极包括用于向下方喷淋气体的气体喷淋区及环绕所述气体喷淋区的边缘区，其中：所述边缘区的上方设有若干沿周向分布的磁场产生部件，所述磁场产生部件用于产生磁场且所述磁场能够穿过所述边缘区进入所述反应腔内；所述上电极的上方还设有旋转部件，所述旋转部件用于带动各所述磁场产生部件同步沿