CN119764155A 一种电容耦合等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法 （上海邦芯半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764155A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510269335.1

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司

地址201413上海市奉贤区中国（上海）自

由贸易试验区临港新片区平霄路358

号7号厂房、9号厂房

(72)发明人李可王兆祥涂乐义梁洁彭国发方文强向浪

(74)专利代理机构上海申君律师事务所31594

专利代理师余中燕

(51)Int.Cl.

H01J37/32(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种电容耦合等离子体刻蚀设备以及刻蚀

方法

(57)摘要

CN119764155A本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法，所述刻蚀设备包括反应腔，所述反应腔的顶部和底部平行设置有一对上电极和下电极，所述上电极包括用于向下方喷淋气体的气体喷淋区及环绕所述气体喷淋区的边缘区，中，所述边缘区的上方设有若干沿周向均匀分布的电磁线圈，各所述电磁线圈循环按预设顺序通电，以按所述预设顺序沿所述边缘区的周向依次产生磁场。本发明产生的磁场能够模拟在反应腔内周向运动的磁场，周向运动的磁场在反应腔内部