CN119764288A 半导体结构、具有空气间隙子的半导体元件及其制备方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764288A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202311841558.8

(22)申请日2023.12.28

(30)优先权数据

18/375,6172023.10.02US

(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市

(72)发明人许逢文

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

专利代理师李南山

(51)Int.Cl.

H01L23/528(2006.01)

H01L21/764(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图10页

(54)发明名称

半导体结构、具有空气间隙子的半导体元件

及其制备方法

(57)摘要

CN119764288A本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一第一介电层、一导电层以及一绝缘罩盖层。该第一介电层设置在该基底上。该导电层设置在该第一介电层上。该导电层包括多条导线。该绝缘罩盖层设置在该导电层上，并经配置以封闭该等导线之间的多个第一间隙，以形成多个空气间隙

CN119764288A

CN119764288A权利要求书1/2页

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