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从制备到应用：大面积高质量二硫化钼二维结构及其场效应晶体管器件研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统硅基材料在尺寸进一步缩小的过程中面临着诸多挑战，如短沟道效应、漏电流增大等问题，这严重限制了集成电路性能的提升和器件的进一步小型化。二硫化钼（MoS?）作为一种典型的二维层状材料，近年来在半导体领域崭露头角，成为研究的热点。其独特的原子结构和物理性质，为解决传统半导体材料面临的困境提供了新的思路和方向。

二硫化钼的晶体结构由一层钼原子夹在两层硫原子之间，通过共价键形成稳定的S-Mo-S夹心层，层与层之间则通过较弱的范德华力相互作用。这种特殊的