CN119769205A 发射辐射的半导体器件和用于制造发射辐射的半导体器件的方法 （艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119769205A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202380061599.7

(22)申请日2023.08.22

(30)优先权数据

102022121519.92022.08.25DE

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2023/0729752023.08.22

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/042049DE2024.02.29

(71)申请人艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司地址德国

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